1、依托南京大学自旋芯片与技术全国重点实验室，聚焦第三代 SOT-MRAM 自旋芯片的材料研发、器件制备等相关工作，负责磁传感器研发与设计，包括器件结构、磁路、仿真、版图及工艺方案等；

2、参与磁传感器制备、封装、测试与迭代，开展微纳加工、性能测试和数据分析，协助解决研发中的问题；

3、参与实验室成果向中试和产业转化，协助工艺整理、技术文档、项目材料及内外部协作；

4、跟踪磁传感器相关技术进展，支持产品需求和技术方案落地；

5、完成学院、学科平台及课题组交办的其他科研与教学支持任务。

1、理工科硕士及以上学历，应取得硕士学历学位后工作2年以上，具有微电子、电子、材料、物理、仪器、MEMS、机械、自动化、电气等相关工作经验者优先；

2、有磁学、磁性材料、磁传感器、MEMS或微纳器件相关研究、项目或课程背景之一即可；了解霍尔、AMR、GMR、TMR、磁通门等研究方向者优先；

3、接触过或愿意学习薄膜制备、光刻、刻蚀、封装、测试等实验环节；具备一定动手能力、数据分析能力和工程化思维；

4、具备良好的沟通协作、技术文档撰写和英文文献阅读能力，责任心强，愿意在团队老师指导下参与研发与产业转化。

2026年10月29日

联系人：黎老师

联系方式：liyao@nju.edu.cn